日前瑞典隆德大學研制出效率13.8%的磷化銦(InP)納米線太陽能電池進行了報道，根據北京大學消息，該校物理電子學研究所授徐洪起與瑞典、德國的科學家共同參與了這一研究合作，在采用外延生長III-V族半導體納米線技術制作高性能光伏器件的研究上獲得重要進展。

該研究成果以InP納米線陣列作為核心光伏器件材料，通過優化摻雜工藝和結構設計，經科學家與工程師通力協作聯合攻關后取得；所制成的原型器件的性能遠高于采用相應的InP薄膜技術所制成的光伏器件，且具有用料少、易于向更高性能的多結器件擴展、與當代硅工藝兼容等顯著優點。

徐洪起教授研究組近年來在開發研究新型半導體納米線光伏器件的原理和技術方面做了許多探索工作。特別是他們最近提出的采用外延生長的應變納米線異質結構的光伏器件制作工藝（NanoLetters,2010,10:1108-1112AdvancedMaterials,2012,24:4692-4706），獲得國際學術界和工業界的重視。該工藝提出采用應變產生的壓電場分離光激發產生的電子和空穴，取代傳統光伏器件工藝中為制作p-n結所需的摻雜，從而有望大幅提高光伏器件的轉化效率。

以上研究工作得到國家重大科學研究計劃、國家自然科學基金等項目的支持。