從本文開始，將介紹根據(jù)求得的損耗進行熱計算，并判斷在實際使用條件下是否在最大額定值范圍內(nèi)及其對應(yīng)方法等。原本之所以求損耗（效率），是為了確認(rèn)最終IC芯片和晶體管芯片的結(jié)溫Tj未超出最大額定值，并確認(rèn)電源電路在要求條件下準(zhǔn)確且安全地工作。

封裝選型時的熱計算示例

使用在“電源IC的功率損耗計算示例”中計算得到的結(jié)果。為方便起見，下面給出計算損耗時的條件和損耗的計算結(jié)果。

電源IC的功率損耗總和

如右表所示，輸出電流IO為2A。工作環(huán)境溫度Ta為最高85℃。在這樣的條件下，電源IC的封裝考慮采用HTSOp-8封裝。HTSOp-8是標(biāo)準(zhǔn)的表面貼裝型SO封裝，是背面露出金屬板的封裝類型。

熱計算說到底是求IC芯片的結(jié)溫Tj。在IC的技術(shù)規(guī)格書中，多會提供容許損耗曲線圖，容許損耗最終也會歸結(jié)到Tj。下面是Tj的計算公式。不難看出這個公式并非特殊的公式，而是普遍的用來表示Tj的公式。

Tj＝Ta＋θja×p

Ta：環(huán)境（周圍）溫度℃，θja：接合部－環(huán)境間熱阻℃/W，p：消耗（損耗）功率W

熱阻值是計算所需的信息。多數(shù)情況下會在IC的技術(shù)規(guī)格書的條件中有提供。下表是從技術(shù)規(guī)格書中摘錄的。此外，這里還提供了這些條件下的容許損耗曲線圖。

從所提供的內(nèi)容可以看出，熱阻θja因安裝pCB板的層數(shù)而異。本文中的假設(shè)前提為1層pCB，因此使用“條件①”來計算。

Tj＝Ta＋θja×p?85℃＋189.4℃/W×1.008W＝275.9℃

Tjmax為150℃，因此從計算結(jié)果看嚴(yán)重不符合。先在公式中試著代入數(shù)值進行了計算，在列舉條件過程中就可以看出其結(jié)果。在容許損耗曲線圖中，一個損耗1.008W的線已經(jīng)超出了①條件下的容許范圍。另外，Ta＝85℃的線與①的交點，表示①的條件下的容許功率，可以一目了然地看出，1.008W已經(jīng)遠遠超過這個范圍。進一步講，當(dāng)知道θja為189.4℃/W時，損耗1.008W的話僅發(fā)熱量就能超過Tjmax的150℃限值，這種條件下是無法實際使用的，這在計算前就已經(jīng)看出來了。

不過，通過該計算可以明白“將什么、做到怎樣的程度、如何做比較好”，因此還是有必要計算的。

很顯然，為了完成滿足要求規(guī)格的設(shè)計，必須采取散熱對策。

關(guān)鍵要點：

?求出損耗是為了進行熱設(shè)計。

?采取散熱對策確保Tj不要超過絕對最大額定值。